化合物半導(dǎo)體展暨2025中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體博覽會(huì)將于2025年11月在北京亦創(chuàng)國(guó)際會(huì)展中心以“化合物半導(dǎo)體”作為核心單元，與綜合性半導(dǎo)體博覽會(huì)同址同期舉行。本屆展會(huì)為期三天，面向產(chǎn)業(yè)鏈全環(huán)節(jié)，聚焦砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、金剛石（Diamond）、氧化鎵（Ga?O?）六大材料體系及其在航空航天、石油勘探、寬帶通訊、汽車(chē)制造、智能電網(wǎng)等關(guān)鍵場(chǎng)景的應(yīng)用驗(yàn)證與商業(yè)化路徑。

一、定位與結(jié)構(gòu)

主辦方將展館劃分為“材料-晶圓-器件-模組-系統(tǒng)”五級(jí)遞進(jìn)式展區(qū)，真實(shí)還原一條化合物半導(dǎo)體從晶體生長(zhǎng)到終端集成的完整技術(shù)鏈。每個(gè)展區(qū)設(shè)置“性能-環(huán)境-壽命”三軸測(cè)試島，可現(xiàn)場(chǎng)完成-55 ℃~+300 ℃溫循、10 kV浪涌、101? cm?3中子輻照等極端工況演示。

二、核心展示內(nèi)容

材料端

砷化鎵：8英寸VB/VGF雙工藝晶圓首次同臺(tái)對(duì)比，位錯(cuò)密度<5×103 cm?2。

磷化銦：3英寸至6英寸階梯式晶圓墻，突出InP在太赫茲頻段的優(yōu)勢(shì)窗口。

氮化鎵：8英寸硅基GaN、6英寸SiC基GaN、4英寸QST基GaN三條產(chǎn)線(xiàn)實(shí)物并列，觀眾可掃描芯片溯源二維碼查看外延曲線(xiàn)。

碳化硅：N型與P型8英寸晶錠現(xiàn)場(chǎng)切片，展示200 μm超薄翹曲控制技術(shù)。

金剛石：2英寸至6英寸多晶、單晶、摻雜晶圓全系列，熱導(dǎo)率≥2000 W·m?1·K?1實(shí)測(cè)值實(shí)時(shí)滾動(dòng)。

氧化鎵：6英寸（010）晶圓及8英寸工程樣片，擊穿場(chǎng)強(qiáng)>8 MV/cm數(shù)據(jù)現(xiàn)場(chǎng)復(fù)測(cè)驗(yàn)證。

器件與模組端

航空航天：磷化銦基94 GHz T/R組件MTBF>100 000 h報(bào)告現(xiàn)場(chǎng)簽字發(fā)布。

石油勘探：碳化硅MOSFET+SiC SBD智能功率模塊耐溫225 ℃，連續(xù)運(yùn)行1000 h無(wú)漂移。

寬帶通訊：氮化鎵毫米波功放模組，飽和功率65 dBm，線(xiàn)性增益25 dB，面向D-band回傳。

汽車(chē)制造：全碳化硅電驅(qū)逆變器功率密度50 kW/L，效率峰值99.2%，已通過(guò)AEC-Q101 Grade 0認(rèn)證。

智能電網(wǎng)：氧化鎵橫向功率器件，擊穿電壓>3 kV，導(dǎo)通電阻<3 mΩ·cm2，現(xiàn)場(chǎng)完成10 kA短路關(guān)斷演示。

三、數(shù)據(jù)與規(guī)模

展覽面積：28 000 m2

參展機(jī)構(gòu)：預(yù)計(jì)>480家（其中材料企業(yè)28%、晶圓廠12%、IDM/Fabless 25%、設(shè)備與檢測(cè)20%、應(yīng)用系統(tǒng)15%）

專(zhuān)業(yè)觀眾：預(yù)登記>25 000人，國(guó)際觀眾占比11%

技術(shù)報(bào)告：>120場(chǎng)

四、參會(huì)咨詢(xún)

聯(lián)系人：孫先生  電話(huà)：135 218 35891